机构

• 西安光学精密机械研... [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [10]

发表日期

• 2011 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [2]
• 2000 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体 专利  OAI收割 专利号: CN1734247B, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 作者:  柴田真佐知   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 专利  OAI收割 专利号: CN1249780C, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2006-04-05 作者:  柴田真佐知;  黑田尚孝   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1218374C, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2005-09-07 作者:  碓井彰;  柴田真佐知;  大岛祐一   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1387231A, 申请日期: 2002-12-25, 公开日期: 2002-12-25 作者:  碓井彰;  柴田真佐知;  大岛祐一   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18 Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 专利  OAI收割 专利号: CN1378237A, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06 作者:  碓井彰;  柴田真佐知;  大岛祐一   |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2020/01/18 AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ 专利  OAI收割 专利号: JP2001015801A, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-01-19 作者:  柴田 真佐知;  今野 泰一郎;  金田 直樹;  柴田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ 专利  OAI收割 专利号: JP2001007445A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12 作者:  柴田 真佐知;  今野 泰一郎;  金田 直樹;  柴田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000307148A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02 作者:  柴田 憲治;  柴田 真佐知;  金田 直樹;  今野 泰一郎;  塚本 孝信   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998107317A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24 作者:  柴田 真佐知;  古屋 貴士   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996167735A, 申请日期: 1996-06-25, 公开日期: 1996-06-25 作者:  海野 恒弘;  柴田 真佐知;  渡辺 真敏;  高橋 健;  隈 彰二   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13