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ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2945546B2, 申请日期: 1999-06-25, 公开日期: 1999-09-06
作者:  近藤 真人;  穴山 親志;  古谷 章;  菅野 真実;  堂面 恵
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995095616B2, 申请日期: 1995-10-11, 公开日期: 1995-10-11
作者:  棚橋 俊之
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994260714A, 申请日期: 1994-09-16, 公开日期: 1994-09-16
作者:  古谷 章;  菅野 真実;  近藤 真人;  穴山 親志;  棚橋 俊之
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994085385A, 申请日期: 1994-03-25, 公开日期: 1994-03-25
作者:  古谷 章;  穴山 親志;  近藤 真人
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994005976A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14
作者:  穴山 親志;  棚橋 俊之;  近藤 真人
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1993291679A, 申请日期: 1993-11-05, 公开日期: 1993-11-05
作者:  穴山 親志;  近藤 真人;  棚橋 俊之;  堂免 恵;  古谷 章
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1993259566A, 申请日期: 1993-10-08, 公开日期: 1993-10-08
作者:  近藤 真人;  穴山 親志;  堂免 恵;  古谷 章;  菅野 真実
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半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1993183228A, 申请日期: 1993-07-23, 公开日期: 1993-07-23
作者:  棚橋 俊之;  近藤 真人
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1993145172A, 申请日期: 1993-06-11, 公开日期: 1993-06-11
作者:  棚橋 俊之
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半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993082892A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
作者:  古谷 章;  近藤 真人;  穴山 親志;  菅野 真実;  堂免 恵
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