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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2006 [1]
2001 [3]
2000 [2]
1999 [2]
1998 [2]
1995 [1]
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半導体光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2006245137A, 申请日期: 2006-09-14, 公开日期: 2006-09-14
作者:
橋本 順一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ型光増幅器
专利
OAI收割
专利号: JP3211838B2, 申请日期: 2001-07-19, 公开日期: 2001-09-25
作者:
橋本 順一
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3194292B2, 申请日期: 2001-06-01, 公开日期: 2001-07-30
作者:
橋本 順一
;
勝山 造
;
吉田 伊知朗
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザを用いた光双安定素子
专利
OAI收割
专利号: JP3149878B2, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-03-26
作者:
橋本 順一
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000244067A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
作者:
橋本 順一
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000058973A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:
橋本 順一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999354884A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
作者:
橋本 順一
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提交时间:2020/01/13
マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2953177B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-27
作者:
吉田 伊知朗
;
勝山 造
;
橋本 順一
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2812069B2, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-10-15
作者:
吉田 伊知朗
;
勝山 造
;
橋本 順一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998084162A, 申请日期: 1998-03-31, 公开日期: 1998-03-31
作者:
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提交时间:2020/01/13