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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18 作者:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  布上 真也;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3517120B2, 申请日期: 2004-01-30, 公开日期: 2004-04-05 作者:  波多腰 玄一;  藤本 英俊;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 化合物半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1093988C, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06 作者:  石川正行;  新田康一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3222652B2, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-10-29 作者:  西川 幸江;  石川 正行;  斎藤 真司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3207618B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10 作者:  石川 正行;  西川 幸江;  斎藤 真司   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12 作者:  新田 康一;  石川 正行;  岡島 正季;  板谷 和彦;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3135250B2, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2001-02-13 作者:  石川 正行;  新田 康一;  渡邊 実;  岡島 正季   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2000196189A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者:  高岡 圭児;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 化合物半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999186650A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09 作者:  板谷 和彦;  布上 真也;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31