机构

• 西安光学精密机械研... [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 专利 [13]

发表日期

• 2007 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [4]
• 1996 [4]
• 1995 [1]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998144962A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29 作者:  菅原 秀人;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1997283856A, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1997-10-31 作者:  石川 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1997219567A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19 作者:  石川 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2659937B2, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-09-30 作者:  大場 康夫;  菅原 秀人;  渡辺 美代子;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 化合物半導体薄膜積層構造の形成方法及び高電子移動度トランジスタの作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997045625A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14 作者:  石川 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体発光素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996340145A, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24 作者:  石川 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2593845B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-26 作者:  石橋 晃;  石川 秀人;  森 芳文   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ—ザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2519879B2, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-07-31 作者:  大場 康夫;  山本 基幸;  管原 秀人;  石川 正行;  渡辺 幸雄   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レ-ザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996015228B2, 申请日期: 1996-02-14, 公开日期: 1996-02-14 作者:  大場 康夫;  山本 基幸;  管原 秀人;  石川 正行;  渡辺 幸雄   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2020/01/13