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浏览/检索结果: 共50条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3903229B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-11 作者:  穴山 親志   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3679010B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03 作者:  古谷 章;  穴山 親志;  杉浦 勝己   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3360105B2, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-12-24 作者:  近藤 真人;  穴山 親志;  小路 元   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3171307B2, 申请日期: 2001-03-23, 公开日期: 2001-05-28 作者:  穴山 親志   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000299531A, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24 作者:  穴山 親志   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000012960A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14 作者:  杉浦 勝己;  穴山 親志;  岡田 直子   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2945546B2, 申请日期: 1999-06-25, 公开日期: 1999-09-06 作者:  近藤 真人;  穴山 親志;  古谷 章;  菅野 真実;  堂面 恵   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999112075A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  岡田 直子;  穴山 親志   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置の製造方法および、光半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2890745B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17 作者:  穴山 親志   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999026884A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  穴山 親志   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13