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• 上海微系统与信息技... [28]
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• OAI收割 [29]

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发表日期

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学科主题

• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2008, 期号: 07 王俊; 王磊; 董业民; 邹欣; 邵丽; 李文军; 杨华岳 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 离子注入  光致发光  量子阱互混   高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 期号: 04 王俊; 董业民; 邹欣; 邵丽; 李文军; 杨华岳 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/01/06 电容检测  光电检测  热机械噪声  电学噪声   双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1564323, 申请日期: 2005-01-12, 公开日期: 2005 林志浪; 张峰; 程新利; 董业民; 陈猛; 王曦 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1560925, 申请日期: 2005-01-05, 公开日期: 2005-01-05 杨文伟; 俞跃辉; 董业民; 程新红 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 期号: 06 陶凯; 董业民; 易万兵; 王曦; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/01/06 电磁带隙结构  微带阵列天线  阻带特性  TE/TM波   局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2005 杨文伟; 俞跃辉; 董业民; 程新红 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/04/12 晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1547236, 申请日期: 2004-11-17, 公开日期: 2004-11-17 张继华; 杨文伟; 董业民; 王曦; 于伟东; 冯涛 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1529349, 申请日期: 2004-09-15, 公开日期: 2004-09-15 董业民; 王曦; 陈猛; 陈静; 李志坚; 田立林; 何平; 林羲 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1529342, 申请日期: 2004-09-15, 公开日期: 2004-09-15 董业民; 王曦; 陈猛; 陈静 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2004 董业民; 王曦; 陈猛; 陈静 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/12