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半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP4163321B2, 申请日期: 2008-08-01, 公开日期: 2008-10-08
作者:  
下山 謙司;  長尾 哲;  藤井 克司;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2007049188A, 申请日期: 2007-02-22, 公开日期: 2007-02-22
作者:  
下山 謙司;  長尾 哲;  藤井 克司;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3795931B2, 申请日期: 2006-04-21, 公开日期: 2006-07-12
作者:  
堀江 秀善;  藤森 俊成;  長尾 哲;  細井 信行;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3689733B2, 申请日期: 2005-06-24, 公开日期: 2005-08-31
作者:  
堀江 秀善;  藤森 俊成;  長尾 哲;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
V溝構造を有する半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
作者:  
下山 謙司;  長尾 哲;  清見 和正;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24
エピタキシャルウエハー及びそれを用いてなる半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998326935A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  
藤井 克司;  長尾 哲;  下山 謙司;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体発光装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998326945A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  
下山 謙司;  藤井 克司;  長尾 哲;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998326937A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  
長尾 哲;  藤井 克司;  下山 謙司;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998326936A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  
藤井 克司;  長尾 哲;  下山 謙司;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998326938A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  
長尾 哲;  藤井 克司;  下山 謙司;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/18