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机构
西安光学精密机械研... [17]
采集方式
OAI收割 [17]
内容类型
专利 [17]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [1]
1998 [7]
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半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP4163321B2, 申请日期: 2008-08-01, 公开日期: 2008-10-08
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
藤井 克司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/13
半導体発光装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2007049188A, 申请日期: 2007-02-22, 公开日期: 2007-02-22
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
藤井 克司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP3795931B2, 申请日期: 2006-04-21, 公开日期: 2006-07-12
作者:
堀江 秀善
;
藤森 俊成
;
長尾 哲
;
細井 信行
;
後藤 秀樹
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/18
半導体素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3689733B2, 申请日期: 2005-06-24, 公开日期: 2005-08-31
作者:
堀江 秀善
;
藤森 俊成
;
長尾 哲
;
後藤 秀樹
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/01/13
V溝構造を有する半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
清見 和正
;
後藤 秀樹
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提交时间:2019/12/24
エピタキシャルウエハー及びそれを用いてなる半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998326935A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:
藤井 克司
;
長尾 哲
;
下山 謙司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2019/12/31
半導体発光装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998326945A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:
下山 謙司
;
藤井 克司
;
長尾 哲
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/13
半導体発光装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998326937A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:
長尾 哲
;
藤井 克司
;
下山 謙司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/13
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998326936A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:
藤井 克司
;
長尾 哲
;
下山 謙司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998326938A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:
長尾 哲
;
藤井 克司
;
下山 謙司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/18