机构

• 西安光学精密机械研... [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 专利 [13]

发表日期

• 1995 [1]
• 1992 [2]
• 1991 [2]
• 1990 [2]
• 1989 [3]
• 1988 [2]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Heterojunction type semiconductor device having ordered phase alloy layers for active and cladding layers 专利  OAI收割 专利号: EP0669657A3, 申请日期: 1995-09-27, 公开日期: 1995-09-27 作者:  GOMYO, AKIKO, C/O NEC CORP.;  SUZUKI, TOHRU, C/O NEC CORP.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor structure 专利  OAI收割 专利号: JP1992273490A, 申请日期: 1992-09-29, 公开日期: 1992-09-29 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1992072787A, 申请日期: 1992-03-06, 公开日期: 1992-03-06 作者:  KAWADA SEIJI;  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1991116795A, 申请日期: 1991-05-17, 公开日期: 1991-05-17 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1991091281A, 申请日期: 1991-04-16, 公开日期: 1991-04-16 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Visible semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990280393A, 申请日期: 1990-11-16, 公开日期: 1990-11-16 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 A visible light semiconductor laser with (AlxGa1-x)0.5In0.5P crystal layers and a process for growing an (AlxGa1-x)0.5In0.5P crystal 专利  OAI收割 专利号: EP0325275A3, 申请日期: 1990-06-20, 公开日期: 1990-06-20 作者:  GOMYO, AKIKO C/O NEC CORPORATION   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1989262686A, 申请日期: 1989-10-19, 公开日期: 1989-10-19 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989204487A, 申请日期: 1989-08-17, 公开日期: 1989-08-17 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device and its manufacture 专利  OAI收割 专利号: JP1989187892A, 申请日期: 1989-07-27, 公开日期: 1989-07-27 作者:  GOMYO AKIKO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13