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机构
西安光学精密机械研... [18]
采集方式
OAI收割 [18]
内容类型
专利 [18]
发表日期
1993 [1]
1992 [2]
1991 [3]
1990 [3]
1989 [6]
1988 [3]
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专利
OAI收割
专利号: JP1993079194B2, 申请日期: 1993-11-01, 公开日期: 1993-11-01
作者:
TANETANI MOTOTAKA
;
MATSUI KANEKI
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
MATSUMOTO AKIHIRO
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提交时间:2020/01/18
Formation method of compound semiconductor layer
专利
OAI收割
专利号: JP1992245417A, 申请日期: 1992-09-02, 公开日期: 1992-09-02
作者:
HATA TOSHIO
;
KANEIWA SHINJI
;
KONDO MASAFUMI
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
SUYAMA NAOHIRO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1992242987A, 申请日期: 1992-08-31, 公开日期: 1992-08-31
作者:
SUYAMA NAOHIRO
;
SEKI AKINORI
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
KONDO MASAFUMI
;
HATA TOSHIO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1991085785A, 申请日期: 1991-04-10, 公开日期: 1991-04-10
作者:
MATSUMOTO AKIHIRO
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
MATSUI KANEKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1991048478A, 申请日期: 1991-03-01, 公开日期: 1991-03-01
作者:
MATSUI KANEKI
;
MATSUMOTO AKIHIRO
;
HOSOBANE HIROYUKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1991022583A, 申请日期: 1991-01-30, 公开日期: 1991-01-30
作者:
MATSUMOTO AKIHIRO
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
MATSUI KANEKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1990216883A, 申请日期: 1990-08-29, 公开日期: 1990-08-29
作者:
HOSOBANE HIROYUKI
;
MATSUMOTO AKIHIRO
;
MATSUI KANEKI
;
MORIMOTO TAIJI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1990180084A, 申请日期: 1990-07-12, 公开日期: 1990-07-12
作者:
MATSUMOTO AKIHIRO
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
MATSUI KANEKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1990177583A, 申请日期: 1990-07-10, 公开日期: 1990-07-10
作者:
MATSUMOTO AKIHIRO
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
MATSUI KANEKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser array device
专利
OAI收割
专利号: JP1989268180A, 申请日期: 1989-10-25, 公开日期: 1989-10-25
作者:
MATSUMOTO AKIHIRO
;
MATSUI KANEKI
;
HOSOBANE HIROYUKI
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提交时间:2020/01/18