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机构
西安光学精密机械研... [10]
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OAI收割 [10]
内容类型
专利 [10]
发表日期
1995 [1]
1993 [1]
1992 [1]
1989 [3]
1988 [3]
1987 [1]
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Semiconductor laser device with multi-directional reflector arranged therein
专利
OAI收割
专利号: US5432812, 申请日期: 1995-07-11, 公开日期: 1995-07-11
作者:
KUROBE, ATSUSHI
;
TEZUKA, TSUTOMU
;
SADAMASA, TETSUO
;
KUSHIBE, MITSUHIRO
;
KAWAKYU, YOSHITA
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提交时间:2019/12/26
HALBLEITERLASER VON EINGEBETTETEM STRUKTUR-TYP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN.
专利
OAI收割
专利号: DE3786934D1, 申请日期: 1993-09-16, 公开日期: 1993-09-16
作者:
FURUYAMA HIDETO
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2019/12/24
Optical wiring integrated device
专利
OAI收割
专利号: JP1992199576A, 申请日期: 1992-07-20, 公开日期: 1992-07-20
作者:
NAKAMURA MASARU
;
NISHIBE TORU
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor optical element
专利
OAI收割
专利号: JP1989102437A, 申请日期: 1989-04-20, 公开日期: 1989-04-20
作者:
DEIBITSUTO JIEI NIYUUSON
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989082586A, 申请日期: 1989-03-28, 公开日期: 1989-03-28
作者:
FURUYAMA HIDETO
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1989080087A, 申请日期: 1989-03-24, 公开日期: 1989-03-24
作者:
FURUYAMA HIDETO
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of buried semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988182883A, 申请日期: 1988-07-28, 公开日期: 1988-07-28
作者:
FURUYAMA HIDETO
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of buried type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988146480A, 申请日期: 1988-06-18, 公开日期: 1988-06-18
作者:
FURUYAMA HIDETO
;
KUROBE ATSUSHI
;
NARIZUKA SHIGEYA
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988029988A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08
作者:
SUZUKI NOBUO
;
KUROBE ATSUSHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1987088389A, 申请日期: 1987-04-22, 公开日期: 1987-04-22
作者:
POORU DABURIYUU EE MAKUROI
;
KUROBE ATSUSHI
;
FURUYAMA HIDETO
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提交时间:2020/01/18