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Semiconductor laser device with multi-directional reflector arranged therein 专利  OAI收割
专利号: US5432812, 申请日期: 1995-07-11, 公开日期: 1995-07-11
作者:  
KUROBE, ATSUSHI;  TEZUKA, TSUTOMU;  SADAMASA, TETSUO;  KUSHIBE, MITSUHIRO;  KAWAKYU, YOSHITA
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26
HALBLEITERLASER VON EINGEBETTETEM STRUKTUR-TYP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN. 专利  OAI收割
专利号: DE3786934D1, 申请日期: 1993-09-16, 公开日期: 1993-09-16
作者:  
FURUYAMA HIDETO;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24
Optical wiring integrated device 专利  OAI收割
专利号: JP1992199576A, 申请日期: 1992-07-20, 公开日期: 1992-07-20
作者:  
NAKAMURA MASARU;  NISHIBE TORU;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/31
Semiconductor optical element 专利  OAI收割
专利号: JP1989102437A, 申请日期: 1989-04-20, 公开日期: 1989-04-20
作者:  
DEIBITSUTO JIEI NIYUUSON;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989082586A, 申请日期: 1989-03-28, 公开日期: 1989-03-28
作者:  
FURUYAMA HIDETO;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1989080087A, 申请日期: 1989-03-24, 公开日期: 1989-03-24
作者:  
FURUYAMA HIDETO;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of buried semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988182883A, 申请日期: 1988-07-28, 公开日期: 1988-07-28
作者:  
FURUYAMA HIDETO;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of buried type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988146480A, 申请日期: 1988-06-18, 公开日期: 1988-06-18
作者:  
FURUYAMA HIDETO;  KUROBE ATSUSHI;  NARIZUKA SHIGEYA
  |  收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988029988A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08
作者:  
SUZUKI NOBUO;  KUROBE ATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1987088389A, 申请日期: 1987-04-22, 公开日期: 1987-04-22
作者:  
POORU DABURIYUU EE MAKUROI;  KUROBE ATSUSHI;  FURUYAMA HIDETO
  |  收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2020/01/18