中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共10条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
Liquid phase epitaxial growth method 专利  OAI收割
专利号: JP1984124713A, 申请日期: 1984-07-18, 公开日期: 1984-07-18
作者:  
NAKAI SABUROU;  UMEO ITSUO
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1984056784A, 申请日期: 1984-04-02, 公开日期: 1984-04-02
作者:  
USHIJIMA ICHIROU;  TANAHASHI TOSHIYUKI;  NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1984044820A, 申请日期: 1984-03-13, 公开日期: 1984-03-13
作者:  
TANAHASHI TOSHIYUKI;  USHIJIMA ICHIROU;  NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1984036987A, 申请日期: 1984-02-29, 公开日期: 1984-02-29
作者:  
TANAHASHI TOSHIYUKI;  NAKAI SABUROU;  NISHITANI YORIMITSU;  UMEO ITSUO
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1984021079A, 申请日期: 1984-02-02, 公开日期: 1984-02-02
作者:  
USHIJIMA ICHIROU;  TANAHASHI TOSHIYUKI;  NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1983170089A, 申请日期: 1983-10-06, 公开日期: 1983-10-06
作者:  
TANAHASHI TOSHIYUKI;  USHIJIMA ICHIROU
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
Liquid-phase epitaxial growing method 专利  OAI收割
专利号: JP1982196526A, 申请日期: 1982-12-02, 公开日期: 1982-12-02
作者:  
NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
Liquid-phase growing method 专利  OAI收割
专利号: JP1982149729A, 申请日期: 1982-09-16, 公开日期: 1982-09-16
作者:  
UMEKI ITSUO;  NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
Liquid phase epitaxially growing method and device therefor 专利  OAI收割
专利号: JP1982056924A, 申请日期: 1982-04-05, 公开日期: 1982-04-05
作者:  
NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
Method of epitaxial growth at liquid phase 专利  OAI收割
专利号: JP1980055522A, 申请日期: 1980-04-23, 公开日期: 1980-04-23
作者:  
NAKAI SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2020/01/18