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Semiconductor laser element and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1988293989A, 申请日期: 1988-11-30, 公开日期: 1988-11-30
作者:  SHIGE NORIYUKI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1988099592A, 申请日期: 1988-04-30, 公开日期: 1988-04-30
作者:  KAYANE NAOKI;  SAITO KAZUTOSHI;  SHIGE NORIYUKI;  ITO RYOICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1986292983A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:  SHIGE NORIYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1984218725A, 申请日期: 1984-12-10, 公开日期: 1984-12-10
作者:  SHIGE NORIYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of buried method type semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1984208884A, 申请日期: 1984-11-27, 公开日期: 1984-11-27
作者:  SHIGE NORIYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1984134888A, 申请日期: 1984-08-02, 公开日期: 1984-08-02
作者:  SHIGE NORIYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983197791A, 申请日期: 1983-11-17, 公开日期: 1983-11-17
作者:  SHIGE NORIYUKI;  SAITOU KAZUTOSHI;  KURATA KAZUHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1983197786A, 申请日期: 1983-11-17, 公开日期: 1983-11-17
作者:  SHIGE NORIYUKI;  ONDA HIDEYA
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
Method for liquid phase epitaxial growth 专利  OAI收割
专利号: JP1983196014A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAJIMURA TAKASHI;  AIKI KUNIO;  SHIGE NORIYUKI;  SAWAI MASAAKI
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983175887A, 申请日期: 1983-10-15, 公开日期: 1983-10-15
作者:  KAYANE NAOKI;  SAITOU KAZUTOSHI;  ITOU RIYOUICHI;  SHIGE NORIYUKI
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