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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Microstructure evolution and properties evaluation of a novel bondline based on Cu@Sn Preform during temperature treatment 期刊论文  OAI收割 2018 19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY (ICEPT), 2018, 页码: 1709, 1715 作者:  Xu, HY;  Li, JQ;  Ning, PQ;  Xu, J;  Xu, Hongyan   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/29 microstructure evolution  PHASE  as-reflowed  SOLDER  aging test  SILVER  temperature cycling  shearing strength   Dietary change in seabirds on Guangjin Island, South China Sea, over the past 1200 years inferred from stable isotope analysis 期刊论文  OAI收割 HOLOCENE, 2017, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 331-338 作者:  Wu, LB;  Liu, XD;  Fu, PQ;  Xu, LQ;  Li, DN 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2017/09/08 N-15  bone collagen  climate change  fish muscle  paleodiet  Xisha Archipelago   The Influence of Graded AlGaN Buffer Thickness for Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by using MOCVD 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 2 Xu, PQ; Jiang, Y; Ma, ZG; Deng, Z; Lu, TP; Du, CH; Fang, YT; Zuo, P; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/01/17 Improvement of Breakdown Characteristics of a GaN HEMT with AlGaN Buffer Layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 471 Chen, Y; Jiang, Y; Xu, PQ; Ma, ZG; Wang, XL; He, T; Peng, MZ; Luo, WJ; Liu, XY; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2013/09/17 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  SURFACE PASSIVATION  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  LEAKAGE  GROWTH   Analyses of 2-DEG characteristics in GaN HEMT with AlN/GaN super-lattice as barrier layer grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7 Xu, PQ; Jiang, Y; Chen, Y; Ma, ZG; Wang, XL; Deng, Z; Li, Y; Jia, HQ; Wang, WX; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS   Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 Chen, Y; Jiang, Y; Xu, PQ; Ma, ZG; Wang, XL; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  OPTICAL-PROPERTIES  RAMAN-SCATTERING  GALLIUM NITRIDE  BUFFER LAYERS  STRAIN  ALN  FILMS  HETEROSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE   The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 1014 Ma ZG; Wang WX; Wang XL; Chen Y; Xu PQ; Jiang Y; Jia HQ; Chen H 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/23 The influence of pressure on the growth of a-plane GaN on r-plane sapphire substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2011, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 446 He, T; Li, H; Dai, LG; Wang, XL; Chen, Y; Ma, ZG; Xu, PQ; Jiang, Y; Wang, L; Jia, HQ; Wang, WX; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2013/09/23 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUANTUM-WELLS  PHOTOLUMINESCENCE  NITRIDE  FIELDS  LAYERS   国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 896 Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/23 Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 Chinese Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 363 He T, Chen Y, Li H, Dai LG, Wang XL, Xu PQ, Wang WX, Chen H 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/24