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机构
西安光学精密机械研... [18]
采集方式
OAI收割 [18]
内容类型
专利 [18]
发表日期
2006 [1]
1992 [2]
1991 [1]
1990 [1]
1989 [3]
1988 [2]
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Herstellungsverfahren einer Lichtemittierende Vorrichtung
专利
OAI收割
专利号: DE69735078D1, 申请日期: 2006-04-06, 公开日期: 2006-04-06
作者:
KUNISATO TATSUYA
;
MATSUSHITA YASUHIKO
;
KANO TAKASHI
;
YAGI KATSUMI
;
UEDA YASHIRO
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992337686A, 申请日期: 1992-11-25, 公开日期: 1992-11-25
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1992133485A, 申请日期: 1992-05-07, 公开日期: 1992-05-07
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/18
Buried type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991076288A, 申请日期: 1991-04-02, 公开日期: 1991-04-02
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1990162785A, 申请日期: 1990-06-22, 公开日期: 1990-06-22
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/18
Integrated-type light-emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1989293589A, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989184980A, 申请日期: 1989-07-24, 公开日期: 1989-07-24
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989093191A, 申请日期: 1989-04-12, 公开日期: 1989-04-12
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988318187A, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988051688A, 申请日期: 1988-03-04, 公开日期: 1988-03-04
作者:
YAGI KATSUMI
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提交时间:2020/01/18