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机构
西安光学精密机械研... [56]
采集方式
OAI收割 [56]
内容类型
专利 [56]
发表日期
1986 [1]
1985 [17]
1984 [6]
1983 [6]
1982 [12]
1981 [4]
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Photo semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1986010293A, 申请日期: 1986-01-17, 公开日期: 1986-01-17
作者:
HAYAKAWA TOSHIROU
;
SUYAMA NAOHIRO
;
YAMAMOTO SABUROU
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提交时间:2020/01/18
Composite resonator type semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985247987A, 申请日期: 1985-12-07, 公开日期: 1985-12-07
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
HAYASHI HIROSHI
;
MIYAUCHI NOBUYUKI
;
SAKII SHIGEKI
;
MORIMOTO TAIJI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985245289A, 申请日期: 1985-12-05, 公开日期: 1985-12-05
作者:
MATSUI KANEKI
;
TANETANI MOTOTAKA
;
MORIMOTO TAIJI
;
YAMAMOTO SABUROU
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提交时间:2020/01/13
Single beam type semiconductor laser array
专利
OAI收割
专利号: JP1985245191A, 申请日期: 1985-12-04, 公开日期: 1985-12-04
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
MATSUI KANEKI
;
TANETANI MOTOTAKA
;
YANO MORICHIKA
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985245189A, 申请日期: 1985-12-04, 公开日期: 1985-12-04
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
HAYASHI HIROSHI
;
MORIMOTO TAIJI
;
YANO MORICHIKA
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985242689A, 申请日期: 1985-12-02, 公开日期: 1985-12-02
作者:
MIYAUCHI NOBUYUKI
;
SAKII SHIGEKI
;
YAMAMOTO OSAMU
;
MORIMOTO TAIJI
;
HAYASHI HIROSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985229389A, 申请日期: 1985-11-14, 公开日期: 1985-11-14
作者:
HAYAKAWA TOSHIROU
;
SUYAMA NAOHIRO
;
YAMAMOTO SABUROU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985226191A, 申请日期: 1985-11-11, 公开日期: 1985-11-11
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
HAYASHI HIROSHI
;
MORIMOTO TAIJI
;
YANO MORICHIKA
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提交时间:2020/01/13
Method for liquid phase epitaxial growth
专利
OAI收割
专利号: JP1985225423A, 申请日期: 1985-11-09, 公开日期: 1985-11-09
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
HAYASHI HIROSHI
;
MORIMOTO TAIJI
;
YANO MORICHIKA
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985220982A, 申请日期: 1985-11-05, 公开日期: 1985-11-05
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
HAYASHI HIROSHI
;
MORIMOTO TAIJI
;
YANO MORICHIKA
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提交时间:2020/01/18