机构

• 半导体研究所 [6]
• 微电子研究所 [5]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2011 [3]
• 2008 [6]
• 2004 [2]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 Valence band offset  GaN/diamond heterojunction  XPS  Conduction band offset  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALGAN/GAN HEMTS  DIAMOND  GAN  FILMS   The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ALGAN/GAN  POLARIZATION  PASSIVATION  HFETS  GHZ   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS   High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 4，1790-1793 作者:  王冬冬;  刘果果;  刘丹;  李诚瞻;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan Hemts  Γ栅场板  截止频率  功率密度   8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 4，1445-1448 作者:  曾轩;  陈晓娟;  刘果果;  袁婷婷;  陈中子   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan Hemts  内匹配 功率合成  微波功率放大器   钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 5，329-333 作者:  李诚瞻;  刘丹;  郑英奎;  刘新宇;  刘键   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan  Hemts  钝化  表面预处理  初始氧化层   AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 作者:  Hou QF;  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/03/09 ALGAN/GAN HEMTS   High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：86/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power