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发表日期

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Wang Xiu-Ping;  Yang Xiao-Hong;  Han Qin;  Ju Yan-Ling;  Du Yun 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 V-groove substrate  Quantum wires  Gaas   Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501 作者:  Zhou GY;  Zhang HY;  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：81/4  |  提交时间：2011/07/05 INAS ISLANDS  MU-M  ESCAPE  GAAS  GAAS(100)  SUBSTRATE   Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 2, 页码: article no.20703, Article no.20703 作者:  Wang XP;  Yang XH;  Han Q;  Ju YL;  Du Y   |  收藏  |  浏览/下载：65/7  |  提交时间：2011/07/05 V-groove substrate  quantum wires  GaAs  EPITAXIAL-GROWTH  TRANSISTOR  V-groove Substrate  Quantum Wires  Gaas  Epitaxial-growth  Transistor   Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Cui LJ (Cui Lijie); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：170/17  |  提交时间：2010/07/05 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE ZNTE  MBE GROWTH  100 GAAS  ZNSE  LAYERS  SURFACE  TEMPERATURE  SUBSTRATE  EPILAYERS   Room temperature photoluminescence evaluation of In0.29Al0.7As/In0.3Ga0.7As/GaAsmetamorphic high electron mobility transistor structures 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 85 Shang, XZ; Wu, J; Wang, WC; Wang, WX; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYERS  GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  INVERSE STEPS  GROWTH  HETEROSTRUCTURES  DENSITY  HEMT   Selective growth of inas islands on patterned gaas (100) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Ren, YY;  Xu, B;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Patterned substrate  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Inas  Gaas  Ingaas   Preparation and afm characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340 作者:  Zhou, H. Y.;  Qu, S. C.;  Wang, Z. G.;  Liang, L. Y.;  Cheng, B. C. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Anodic alumina films  Semi-insulated gaas substrate  Anodization   Low temperature step-graded InAlAs/GaAs metamorphic buner layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1800 Shang, XZ; Wu, SD; Liu, C; Wang, WX; Guo, LW; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/18 X-RAY-DIFFRACTION  BUFFER LAYERS  STRAIN RELAXATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS SUBSTRATE  INVERSE STEPS  HETEROSTRUCTURES  MODULATION  TRANSISTORS   Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 patterned substrate  molecular beam epitaxy  quantum dots  InAs  GaAs  InGaAs  ASSEMBLED QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FABRICATION   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER