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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Bi, Zhijie;  Chen, Yongbo;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/28 Ferroelectrics  Thin films  Epitaxial growth  PMN-PT  GaN  Physical vapour deposition   Structures and optical properties of H-2(+)-implanted GaN epi-layers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48 作者:  Li, B. S.;  Wang, Z. G.   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/07/05 Gan Epitaxial Films  H-2(+) Implantation  Implantation Damage  Cross-sectional Transmission Electron Microscopy  Dislocation Loops   Recent progress of GaN growth on maskless chemical-etched grooved sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 ENERGY & ENVIRONMENTAL SCIENCE, 2011, 卷号: 4, 期号: 8, 页码: 2625 Jiang, Y; Jia, HQ; Wang, WX; Wang, L; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH  VAPOR-DEPOSITION  DENSITY GAN  WING-TILT  FILMS  DEVICES   High-Quality Thick GaN Overgrown on an Array of SiO2 Nanomasks by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 12, 页码: H1000-H1002 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Lu, HF; Gong, H; Li, XL; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL GAN  FABRICATION  FILMS   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS   Luminescent characteristics of near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2243 Yu, NS; Guo, LW; Chen, H; Xing, ZG; Wang, J; Zhu, XL; Peng, MZ; Yan, JF; Jia, HQ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/18 EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  VAPOR-DEPOSITION  PHOTOLUMINESCENCE  DEFECTS  SI(111)  SINGLE  LAYERS   Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION   Wing-tilt-free gallium nitride laterally grown on maskless chemical-etched sapphire-patterned substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 2476 Wang, J; Guo, LW; Jia, HQ; Xing, G; Wang, Y; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/23 GAN THIN-FILMS  EPITAXIAL OVERGROWTH  VAPOR-DEPOSITION  DENSITY GAN  REDUCTION  LAYERS   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文  OAI收割 9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001 Kang JY; Shen YW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 defects  GaN  photoluminescence  electronic structures  YELLOW LUMINESCENCE  EPITAXIAL-FILMS  MG