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浏览/检索结果: 共75条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8 作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2023/05/09 polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation   Growth and properties of Pr3+-doped NaGd(MoO4)2 single crystal: A promising InGaN laser-diode pumped orange-red laser crystal 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249 作者:  Ren, Hao;  Li, Hongyuan;  Zou, Yong;  Deng, Hengyang;  Peng, Ziming   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/12/22 Czochralski method  Spectroscopic properties  InGaN laser-diodes  Orange-red lasers  Pr  NaGd(MoO4)2   Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27 作者:  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Sheikhi, Moheb;  Chen, Zhaoying;  Hoo, Jason   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/12/18 SURFACE-MORPHOLOGY  GAN FILMS  KINETICS  QUALITY  TERNARY  INGAN  BLUE   InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  刘炜 收藏  |  浏览/下载：175/0  |  提交时间：2018/06/20 Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度   衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  江灵荣   |  收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2019/03/28 斜切角,GaN,InGaN,表面形貌,光电特性   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Guo, Wei;  Xie, Weiping;  Chee, Kuan W. A.;  Zeng, Yuheng;  Ye, Jichun   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/12/04 Surface-plasmons  Quantum-wells  Nanoparticles  Emission  Algan  Suppression  Efficiency  Ingan/gan  Emitters  Ag   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Ye, Jichun;  Zeng, Yuheng   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/12/04 Surface-plasmons  Quantum-wells  Nanoparticles  Emission  Algan  Suppression  Efficiency  Ingan/gan  Emitters  Ag   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Jiang, Jie'an;  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Yang, Zhenhai;  Guo, Shiping   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/12/18 SURFACE-PLASMONS  QUANTUM-WELLS  NANOPARTICLES  EMISSION  ALGAN  SUPPRESSION  EFFICIENCY  INGAN/GAN  EMITTERS  AG   Spatiotemporal Summation and Recognition Effects for a Dual-Emitter Light-Induced Neuromorphic Device 期刊论文  OAI收割 Ieee Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 期号: 1, 页码: 308-313 作者:  Yang, Y. C.;  Shi, Z.;  Zhu, B. C.;  Yuan, J. L.;  Zhu, G. X.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/09/17 Adding together behavior  dual emitter light-induced neuromorphic  device  excitatory postsynaptic voltage (EPSV)  InGaN  multiple-quantum-well diodes (MQW-diodes)  resonant summation effect  (RSE)  plasticity  synapse  transistor  Engineering  Physics   InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 smliu@semi.ac.cn 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaN/GaN  多量子阱  太阳能电池  光电转换效率