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• 上海微系统与信息技... [10]

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• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1996 [1]
• 1994 [1]
• 1992 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 单片Si-FED的结构和设计 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2001, 期号: 05 范忠; 李琼; 徐静芳; 茅东升 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 场发射显示器  干法刻蚀  离子注入   离子注入碲镉汞迁移率谱的研究 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2000, 期号: 02 李向阳; 赵军; 陆慧庆; 方家熊 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 迁移率谱  碲镉汞  离子注入   SIMOX材料注F~+后的SIMS分析 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 1999, 期号: 05 曾健; 高剑侠 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 F离子注入  SIMOX  材料  SIMS分析  抗辐射   SIMOX材料制备中注入剂量优化研究 期刊论文  OAI收割 电子学报, 1996, 期号: 11 奚雪梅; 李映雪; 赵清太; 王阳元; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 SIMOX制备  注入剂量优化  埋氧化层微结构   大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 1994, 期号: 02 高剑侠; 朱德彰; 曹德新; 周祖尧 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 注入  退火  缺陷   高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究 期刊论文  OAI收割 电子学报, 1992, 期号: 08 柳襄怀 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 晶态α-Si_3N_4  高温注入  多次N+注入   瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理 期刊论文  OAI收割 北京师范大学学报(自然科学版), 1990, 期号: 01 张通和; 周生辉; 吴瑜光; 罗晏 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 As注入Si  高密度缺陷运动  PN结漏电机理   BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究 期刊论文  OAI收割 电子科学学刊, 1989, 期号: 04 林成鲁; 倪如山; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 离子注入  快速热退火  氟泡   氮离子注入形成SOI结构的外延研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1989, 期号: 06 林成鲁; 李金华; 方予韦; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 离子注入  退火  外延生长  SOI材料   高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1989, 期号: 06 钱佑华; 冷静民; 林成鲁; 邢昆山 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 SOM  高剂量B~+注入  应力  Fano线形