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• OAI收割 [15]

内容类型

• 期刊论文 [14]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning   Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 卷号: 256, 期号: 21, 页码: 6254 Bai, Y; Liu, J; Ma, P; Li, B; Zhu, J; Guo, LW; Liu, XY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 N-TYPE GAN  ELECTRONIC-PROPERTIES  OXIDE  DAMAGE  INGAN  ALGAN   Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/26 N-type Gan  Electronic-properties  Oxide  Damage  Ingan  Algan   Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057104 Hou QF (Hou Qi-Feng); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Xiao; HL (Xiao Hong-Ling); Wang CM (Wang Cui-Mei); Yang CB (Yang Cui-Bai); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：267/64  |  提交时间：2010/05/24 N-TYPE GAN  DEEP LEVELS  SELENIDE  DEFECTS   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：72/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407 Song, SF; Chen, WD; Xu, ZJ; Xu, XR 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 N-TYPE GAN  DEFECTS  EPITAXY  TRAPS   Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN   Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412 Song SF; Chen WD; Xu ZJ; Xu XR 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Er  Pr-implautation  deep level transient spectroscopy  N-TYPE GAN  DEFECTS  EPITAXY  TRAPS   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404 Wang, YG; Li, W; Han, PD; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE