机构

• 半导体研究所 [19]
• 地质与地球物理研究所 [2]
• 光电技术研究所 [1]
• 上海光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [13]
• iSwitch采集 [10]

内容类型

• 期刊论文 [23]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [8]
• 光学薄膜 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Analysis of Enhanced Photocarrier Radiometry Signals for Ion-Implanted and Annealed Silicon Wafers 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2012, 卷号: 33, 期号: 10-11, 页码: 2089-2094 作者:  Liu, Xianming;  Li, Bincheng;  Huang, Qiuping 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/10 Ion implantation  Photocarrier radiometry  Quantum efficiency  Thermal annealing   Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：186/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   Annealing effects on the optical and structural properties of Al2O3/SiO2 films as UV antireflection coatings on 4H-SiC substrates 期刊论文  OAI收割 appl. surf. sci., 2008, 卷号: 254, 期号: 20, 页码: 6410, 6415 Zhang Feng; Yang Weifeng; Pang Aisuo; Wu Zhengyun; Qi Hongji; 姚建可; 范正修; 邵建达 收藏  |  浏览/下载：1062/205  |  提交时间：2009/09/22 annealing  Al2O3/SiO2 films  4H-SiC  external quantum efficiency   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m gainnas(sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 979-983 作者:  Zhao, H.;  Xu, Y. Q.;  Ni, H. Q.;  Zhang, S. Y.;  Han, Q. 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Quantum well  Rapid thermal annealing   Quantum annealing inversion and its implementation 期刊论文  OAI收割 CHINESE JOURNAL OF GEOPHYSICS-CHINESE EDITION, 2006, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 577-583 作者:  Wei, C;  Zhu, PM;  Wang, JY   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/09/26 Quantum Annealing  Simulated Annealing  Geophysical Inversion   Quantum annealing inversion and its implementation 期刊论文  OAI收割 CHINESE JOURNAL OF GEOPHYSICS-CHINESE EDITION, 2006, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 577-583 作者:  Wei, C;  Zhu, PM;  Wang, JY   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/09/26 Quantum Annealing  Simulated Annealing  Geophysical Inversion   Influence of rapid thermal annealing on inas/inalas/inp quantum wires with different inas deposited thickness 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Wang, YL;  Xu, B;  Ye, XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Dislocations  Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wires  Semiconducting iii-v material   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of gainas/ganas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Interdiffusion  Post-annealing  Quantum wells  Gainnas/gaas   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN