机构

• 半导体研究所 [29]
• 物理研究所 [6]
• 金属研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [36]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [34]
• 会议论文 [4]

发表日期

• 2013 [1]
• 2011 [3]
• 2010 [3]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [14]
• 半导体物理 [9]
• 半导体化学 [2]
• Physics, M... [1]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文  OAI收割 Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2 C. J. Dong; M. Xu; W. Lu; Q. Z. Huang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/12/24 Thin films  nitrides  sputtering  microstructure  chemical-vapor-deposition  molecular-beam epitaxy  optical-properties  lattice-constants  phase epitaxy  wurtzite inn  thin-films  layers  spectroscopy  nitridation   High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：98/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  INVERSION DOMAINS  HIGH-TEMPERATURE  GAN  SI(111)  ALN  SAPPHIRE   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102 作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：121/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE  Molecular Beam Epitaxy  Anti-phase Domain  Gaas/ge Interface  Chemical Vapor-deposition  Junction Solar-cells  Domain-free Growth  Temperature  Quality  Future   Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Cui LJ (Cui Lijie); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：169/17  |  提交时间：2010/07/05 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE ZNTE  MBE GROWTH  100 GAAS  ZNSE  LAYERS  SURFACE  TEMPERATURE  SUBSTRATE  EPILAYERS   A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：144/13  |  提交时间：2010/04/22 MOVPE  In-rich InGaN  Indium incorporation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRITICAL THICKNESS  DROPLET FORMATION  PHASE-SEPARATION  TEMPERATURE  FILMS  HETEROSTRUCTURES  IMMISCIBILITY  INXGA1-XN   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Growth of well-oriented Al(x)In(1-x)N films by sputtering at low temperature 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1-2, 页码: 812-815 C. J. Dong; M. Xu; Q. Y. Chen; F. S. Liu; H. P. Zhou; Y. Wei; H. X. Ji 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/04/13 Al(x)In(1-x)N film  Magnetron sputtering  Crystallinity  Resistance  molecular-beam epitaxy  fundamental-band gap  vapor-phase epitaxy  optical-properties  energy  alinn  inn  aln  nanowires  inxal1-xn   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Transmission electron microscopy study of epitaxial InN thin films grown on c-plane sapphire 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 1693 Lu, CJ; Duan, XF; Lu, H; Schaff, WJ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FUNDAMENTAL-BAND GAP  VAPOR-PHASE EPITAXY  THREADING DISLOCATIONS  BUFFER LAYER  POLARITY  DEFECTS