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内容类型

• 期刊论文 [19]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhanced thermal stability and thermochromic properties of VOx-based thin films by room-temperature magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 174, 页码: 102-111 作者:  Zhan, Yongjun;  Xiao, Xiudi;  Lu, Yuan;  Cao, Ziyi;  Qi, Shuai   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/11/21 Vox-rbased Thin Films  Reactive Sputtering  Rapid Thermal Annealing  Thermaochromic Performance  Thermal Stability   Infrared response of the lateral pin structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Ma Zhi-Hua;  Cao Quan;  Zuo Yu-Hua;  Zheng Jun;  Xue Chun-Lai 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/12 Infrared response  Ion implantation  Rapid thermal annealing  Intermediate band solar cell   Effect of rapid thermal annealing condition on the structure and conductivity properties of polycrystalline silicon films on glass 会议论文  OAI收割 SEP 25-28, 2010 作者:  Wang, WY;  Wang, Weiyan;  Huang, Jinhua;  Zhang, Xianpeng;  Song, Weijie   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/01/12 Polycrystalline Silicon  Magnetron Sputtering  Rapid Thermal Annealing  Crystallization   Infrared response of the lateral PIN structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 106104 Ma, ZH; Cao, Q; Zuo, YH; Zheng, J; Xue, CL; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/02/06 infrared response  ion implantation  rapid thermal annealing  intermediate band solar cell  PHOTODIODE   Analysis of surface roughness in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contact to AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 期号: 6 作者:  Zhang BS (张宝顺);  Cai Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：209/64  |  提交时间：2010/12/31 aggregation  aluminium  aluminium compounds  gallium compounds  gold  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  nickel  ohmic contacts  rapid thermal annealing  semiconductor-metal boundaries  surface morphology  surface roughness  titanium  transmission electron microscopy  wide band gap semiconductors  X-ray chemical analysis   Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：186/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m gainnas(sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 979-983 作者:  Zhao, H.;  Xu, Y. Q.;  Ni, H. Q.;  Zhang, S. Y.;  Han, Q. 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Quantum well  Rapid thermal annealing   Study of photoluminescence spectra of si-rich sinx films 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 19, 页码: 2397-2400 作者:  Liu, YZ;  Zhou, YQ;  Shi, WQ;  Zhao, LL;  Sun, BY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/10 Photolumineseence  Rapid thermal annealing (rta)  Low pressure chemical vapor deposition (lpcvd)  Silicon nitride  Thin films  Optical materials and properties   Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文  OAI收割 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003 Ying-Qiang X; Zhang W; Niu ZC; Wu RG; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  SiO2 encapsulation  rapid-thermal-annealing  nitrogen reorganization  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  MU-M