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浏览/检索结果: 共62条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Rhodium(III)-Catalyzed Coupling of Arenes with Cyclopropanols via C-H Activation and Ring Opening 期刊论文  OAI收割 ACS CATALYSIS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 647-651 作者:  Zhou, Xukai;  Yu, Songjie   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/06/20 Rhodium(Iii) Catalysis  C-h Activation  Strained Ring  Ring Opening  Cyclopropanols   Ultrathin homogeneous ni(al) germanosilicide layer formation on strained sige with al/ni multi-layers 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronic engineering, 2015, 卷号: 137, 页码: 88-91 作者:  Liu, Linjie;  Jin, Lei;  Knoll, Lars;  Wirths, Stephan;  Buca, Dan 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/10 Germanosilicide  Al mediation  Strained sige   Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112 作者:  Tao, P;  Huang, L;  Cheng, HH;  Wang, HH;  Wu, XS;王焕华 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/04/08 GeSn films  high resolution X-ray diffraction  fully-strained  Raman measurements   Quantitative Model of Heterogeneous Nucleation and Growth of SiGe Quantum Dot Molecules 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 卷号: 109, 期号: 10 Hu, H; Gao, HJ; Liu, F 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 SELF-ASSEMBLED NANOHOLES  SURFACE-MORPHOLOGY  STRAINED ISLANDS  EVOLUTION  EPITAXY  STRESS  LAYERS  FILMS  SHAPE   Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/04/17 Hole mobility  quantum well (QW)  SiGe  strained Si (sSi)   Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101 Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/17 Tunnel FET  Strained Si  Subthreshold swing  SiGe   Numerical study of strained ingaas quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Wang Ming;  Gu Yong-Xian;  Ji Hai-Ming;  Yang Tao;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/05/12 Band structure  Eight-band k.p theory  Strained quantum well  Peak emission wavelength   Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Wang Wei;  Su Shao-Jian;  Zheng Jun;  Zhang Guang-Ze;  Zuo Yu-Hua 收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn alloys  Strained  Strain-relaxed  Molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：104/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy