机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2006 [2]
• 2004 [3]
• 2003 [2]
• 2002 [3]

学科主题

• 半导体材料 [10]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 期刊论文  OAI收割 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 75-77 Zhao YW; Dong ZY; Duan ML; Sun WR; Yang ZX 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  semi-insualting  STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  SEMI-INSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FE   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Non-stoichiometry Related Deep Level Defects in Semi-insulating InP 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 535-538 Zhao Youwen; Dong Zhiyuan; Duan Manlong; Sun Wenrong; Yang Zixiang; Lu Xuru; Wang Yingli 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Deep level defects in high temperature annealed InP 期刊论文  OAI收割 science in china series e-engineering & materials science, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326 Dong ZY; Zhao YM; Zeng YP; Duan ML; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/15  |  提交时间：2010/03/09 InP   FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147 Liu LF; Chen NF; Zhang FQ; Chen CL; Li YL; Yang SY; Liu Z 收藏  |  浏览/下载：80/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：351/16  |  提交时间：2010/08/12 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  DEFECTS  DIFFUSION  CRYSTALS  WAFERS   Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1041-1045 Zhao Youwen; Luo Yilin; Feng Hanyuan; Beling C D; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458 Zhao Youwen; Sun Niefeng; S. Fung; C. D. Beling; Sun Tongnian; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 521-524 Zhao YW; Sun NF; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Sun TN; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：82/19  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  FE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE