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• 半导体研究所 [36]

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内容类型

• 期刊论文 [31]
• 会议论文 [5]

发表日期

• 2018 [1]
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• 半导体化学 [1]
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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal– organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 页码: 405601 (6pp) 作者:  Xiaoguang Yang ;  Wenna Du;  Xianghai Ji ;   Xingwang Zhang;  Tao Yang   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/11/15 Defect-free high Sn-content GeSn on insulator grown by rapid melting growth 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 38386 Zhi Liu; Hui Cong; Fan Yang; Chuanbo Li; Jun Zheng; Chunlai Xue; Yuhua Zuo; Buwen Cheng; Qiming Wang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/10 Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, Journal of Physical Chemistry C, 2015, 2015, 卷号: 119, 119, 页码: 17842−17847, 17842−17847 作者:  Dalin Zhang;  Zhi Liu;  Dongliang Zhang;  Xu Zhang;  Junying Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/22 Improved fake mode free plane wave expansion method 期刊论文  iSwitch采集 Optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 15, 页码: 2788-2790 作者:  Jiang, Bin;  Zhou, Wenjun;  Chen, Wei;  Liu, Anjin;  Zheng, Wanhua 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 The explanation of inn bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155 作者:  Liu, Chaoren;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect   Improved fake mode free plane wave expansion method 期刊论文  OAI收割 optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 15, 页码: 2788-2790 Jiang B; Zhou WJ; Chen W; Liu AJ; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2011/09/14 PHOTONIC BAND-STRUCTURE  GAP  CRYSTALS  DEFECT   Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, Materials Science in Semiconductor Processing, 2011, 2011 作者:  Hu, Qiang;  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Yang, Jiankun;  Huo, Ziqiang   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/06/14 Carrier concentration  Etching  Gallium alloys  Optical properties  Point defects  Raman spectroscopy  Semiconducting gallium compounds  Vapor phase epitaxy  Vapors  Carrier Concentration  Etching  Gallium Alloys  Optical Properties  Point Defects  Raman Spectroscopy  Semiconducting Gallium Compounds  Vapor Phase Epitaxy  Vapors   The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155, 1152-1155 作者:  Liu CR;  Li JB;  Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：58/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS  First Principle Calculation  Indium Nitride  Band Gap  Defect  Initio Molecular-dynamics  Augmented-wave Method  Indium Nitride  Gap  Pseudopotentials  Semiconductors  Impurities  Absorption  Defects  Alloys   Zn2sio4/zno core/shell coaxial heterostructure nanobelts formed by an epitaxial growth 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physical chemistry c, 2008, 卷号: 112, 期号: 42, 页码: 16312-16317 作者:  Cheng, Baochang;  Yu, Xiaoming;  Liu, Hongjuan;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride crack  Low temperature aluminum nitride  Interlayer  Silicon