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• 半导体研究所 [68]

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• OAI收割 [68]

内容类型

• 期刊论文 [59]
• 会议论文 [9]

发表日期

• 2012 [2]
• 2011 [3]
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学科主题

• 半导体材料 [68]

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浏览/检索结果: 共68条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 082101 Liu, Guipeng; Wu, Ju; Zhao, Guijuan; Liu, Shuman; Mao, Wei; Hao, Yue; Liu, Changbo; Yang, Shaoyan; Liu, Xianglin; Zhu, Qinsheng; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/05/07 Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 82101 Liu, GP; Wu, J; Zhao, GJ; Liu, SM; Mao, W; Hao, Y; Liu, CB; Yang, SY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/17 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102 Hou QF; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yang CB; Yin HB; Li JM; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：40/4  |  提交时间：2011/07/05 EPITAXIAL LAYERS  PHOTOLUMINESCENCE  ABSORPTION  CARBON  BAND   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：78/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：298/42  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HVPE  Hillocks  Pits  Cathodoluminescence   The influence of AlN/GaN superlattice intermediate layer on the properties of GaN grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 1467-1471 Liu Z (Liu Zhe); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Wang JX (Wang Jun-Xi); Hu GX (Hu Guo-Xin); Guo LC (Guo Lun-Chun); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN