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Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪)
  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/05
Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Zhang D(张丹);  Wang WW(王文武);  Chen DP(陈大鹏);  Li JF(李俊峰);  Liu S(刘实)
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/20
Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Liu S(刘实);  Li JF(李俊峰);  Wang WW(王文武);  Chen DP(陈大鹏);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/20
面向先进CMOS技术节点的NiSi和NiGe接触技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2018
作者:  段宁远
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/09/05
On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017
作者:  Wang GL(王桂磊);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Ye TC(叶甜春);  Chen DP(陈大鹏)
  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/06/08
用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性 期刊论文  OAI收割
微纳电子技术, 2017
作者:  罗军;  贾昆鹏;  粟雅娟;  战俊;  段宁远
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/07/09
Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2016
作者:  Duan NY(段宁远);  Wang GL(王桂磊);  Liu JB(刘金彪);  Eddy simoen;  Mao SJ(毛淑娟)
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/09
Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割
Microelectronics Engineering, 2016
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09
On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping 期刊论文  OAI收割
ECS Transactions, 2016
作者:  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Eddy Simoen;  Wang GL(王桂磊);  Mao SJ(毛淑娟)
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/05/09
Effects of carbon pre-germanidation implantation on the thermal stability of NiGe and dopant segregation on both n- and p-type Ge substrate 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015
作者:  Zhao C(赵超);  Liu QB(刘庆波);  Wang GL(王桂磊);  Duan NY(段宁远);  Liu HW(刘宏伟)
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/05/31