中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [376]
采集方式
OAI收割 [376]
内容类型
期刊论文 [327]
会议论文 [48]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2011 [36]
2010 [18]
2009 [14]
2008 [20]
2007 [7]
更多
学科主题
半导体材料 [174]
半导体物理 [130]
光电子学 [57]
半导体化学 [6]
半导体器件 [6]
人工智能 [1]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共376条,第1-10条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
4H-SiC快速外延生长研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
刘斌
收藏
  |  
浏览/下载:95/0
  |  
提交时间:2015/06/02
4H-SiC
碳化硅
快速外延生长
Fast Epitaxial Growth
Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:91/0
  |  
提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:118/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Epitaxy of Ge on offcut Si substrate for growth of In0.01Ga0.99As
期刊论文
OAI收割
ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 页码: 314-316
Hu, Weixuan
;
Cheng, Buwen
;
Xue, Chunlai
;
Su, Shaojian
;
Liu, Zhi
;
Li, Yaming
;
Wang, Qiming
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2012/06/13
Epitaxial growth
Germanium
Indium
Photonics
Semiconducting silicon compounds
Silicon
Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
OAI收割
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:97/7
  |  
提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
收藏
  |  
浏览/下载:46/3
  |  
提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
OAI收割
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:71/3
  |  
提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
Wurtzite to zincblende transition of InN films on(011) SrTiO3 by decreasing trimethylindium flows
期刊论文
OAI收割
applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5
Jia, C.H.
;
Chen, Y.H.
;
Zhang, B.
;
Liu, X.L.
;
Yang, S.Y.
;
Zhang, W.F.
;
Wang, Z.G.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Absorption
Absorption spectroscopy
Crystal atomic structure
Epitaxial growth
Metallorganic chemical vapor deposition
Optical properties
Organic chemicals
Strontium alloys
Strontium titanates
X ray diffraction
Zinc sulfide
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
收藏
  |  
浏览/下载:41/3
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH