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LSIパッケージの光電気配線板への実装構造、実装方法、情報処理装置、光インタフェース、光電気配線板 专利  OAI收割
专利号: JP2006133763A, 申请日期: 2006-05-25, 公开日期: 2006-05-25
作者:  佐々木 純一;  畠山 意知郎;  三好 一徳;  古宇田 光;  中野 嘉一郎
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光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3421999B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30
作者:  中尾 正史;  近藤 康洋;  岡安 雅信;  永沼 充;  鈴木 安弘
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分布帰還型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3151755B2, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-04-03
作者:  廣野 卓夫;  玉村 敏昭;  山本 智子;  中野 純一
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18
化合物半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2624588B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25
作者:  山本 ▲ミツ▼夫;  山本 知生;  中野 純一;  都築 信頼
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
光出力モニタ付半導体レ-ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995105555B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者:  福田 光男;  野口 悦男;  中野 純一;  中野 好典;  植木 峰雄
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994112530A, 申请日期: 1994-04-22, 公开日期: 1994-04-22
作者:  天野 利昌;  中野 純一;  近藤 進
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化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994090062A, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29
作者:  山本 ▲みつ▼夫;  山本 知生;  中野 純一
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半導体レ—ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994061579A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
作者:  中野 純一;  天野 利昌
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994029615A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04
作者:  岡安 雅信;  福田 光男;  天明 二郎;  中野 純一;  都築 信頼
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半導体レ-ザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993347453A, 申请日期: 1993-12-27, 公开日期: 1993-12-27
作者:  天野 利昌;  近藤 進;  中野 純一
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