机构

• 微电子研究所 [10]
• 地质与地球物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [4]
• 2017 [2]
• 2016 [3]
• 2015 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The transformation of the lithospheric mantle beneath South China Block (SCB): constraints from petrological and geochemical studies of Daoxian and Ningyuan basalts and their melt inclusions 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL GEOLOGY REVIEW, 2019, 页码: 24 作者:  Duan, Xianzhe;  Zhang, Hongfu;  Santosh, M.;  Tian, Hengci;  Sun, He   |  收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2019/07/29 South China Block  Southern Hunan  Mesozoic basalts  melt inclusions  enriched mantle  Palaeo-Pacific oceanic crust  ore deposits   Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪)   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/05 Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2018 作者:  Zhang D(张丹)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/20 Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2018 作者:  Liu S(刘实);  Li JF(李俊峰);  Wang WW(王文武);  Chen DP(陈大鹏);  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/20 面向先进CMOS技术节点的NiSi和NiGe接触技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院大学, 2018 作者:  段宁远   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/09/05 On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Ye TC(叶甜春);  Chen DP(陈大鹏)   |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2018/06/08 用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2017 作者:  罗军;  贾昆鹏;  粟雅娟;  战俊;  段宁远   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/09 Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2016 作者:  Duan NY(段宁远);  Wang GL(王桂磊);  Liu JB(刘金彪);  Eddy simoen;  Mao SJ(毛淑娟)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09 Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Engineering, 2016 作者:  Wang GL(王桂磊);  Qin ZL(秦长亮);  Yin HX(殷华湘);  Duan NY(段宁远);  Yang T(杨涛)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09 On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping 期刊论文  OAI收割 ECS Transactions, 2016 作者:  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Eddy Simoen;  Wang GL(王桂磊);  Mao SJ(毛淑娟)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/05/09