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• OAI收割 [17]
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内容类型

• 期刊论文 [20]
• 会议论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [2]
• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [6]
• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [2]
• 红外基础研究 [1]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 皮秒激光泵浦-探测在窄禁带半导体中的应用研究所 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  马法君   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/08/22 Hgcdte  Gainnas  深能级吸收  泵浦-探测  载流子动力学   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai)   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  Impurities  Gaas1-xnx  Nitrogen  Gainnas  States  Traps  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：186/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   Rapid photoluminescence quenching in gainnas quantum wells at low temperature 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2007, 卷号: 122, 页码: 188-190 作者:  Sun, Z.;  Yang, X. D.;  Sun, B. Q.;  Ji, Y.;  Zhang, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gainnas/gaas  Photoluminescence quenching  Non-radiative recombination   Rapid photoluminescence quenching in GaInNAs quantum wells at low temperature 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 188-190 Sun, Z (Sun, Z.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：198/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 14 Wang, SM; Gu, QF; Wei, YQ; Sadeghi, M; Larsson, A; Zhao, QX; Wang, XD; Ma, CH; Xing, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 GAINNAS  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS   High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 14, 页码: art.no.141913 Wang SM; Gu QF; Wei YQ; Sadeghi M; Larsson A; Zhao QX; Wang XD; Ma CH; Xing ZG 收藏  |  浏览/下载：150/45  |  提交时间：2010/03/17 GAINNAS   长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器 期刊论文  OAI收割 量子电子学报, 2004, 期号: 05, 页码: 565-570 作者:  王立军;  秦莉;  宁永强 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/03/11 激光技术  长波长激光  GaInNAs  垂直腔面发射激光器(VCSEL)