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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2023/11/09 neutron  fin field-effect transistor (FinFET)  single event upset (SEU)  Monte-Carlo simulation   An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8 作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/12/13 TCAD  FinFET  SCR  SEL   TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2020/09/09 Bulk Si FinFET  fin width  orientation  PMOS  threshold voltage shift  total ionizing dose (TID)   Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510 作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/09/18 Anneal  Finfet  On-state Bias  Total Ionizing Dose (Tid)   Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 49-54 作者:  Wang, GL;  Qin, CL;  Yin, HX;  Luo, J;  Duan, NY 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2017/03/02 FinFET  SiGe selective epitaxy  RPCVD  High-k & metal gate   体硅FinFET三维模拟 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，949-954 作者:  周华杰;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/27 体硅  Finfet  新结构   新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计 期刊论文  OAI收割 红外, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 7-11 作者:  胡伟达;  陈效双;  全知觉   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/30 器件模拟  数值方法  Mosfet  Finfet  短沟道效应   电机驱动IC芯片中功率输出管的版图设计 期刊论文  OAI收割 杭州电子科技大学学报, 2005, 期号: 05 董艳燕; 邓先灿; 夏冠群 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/01/06 纳米MOSFET  SOI  双栅MOSFET  FinFET  SiGe/Si   体硅衬底上的CMOS FinFET 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 6,351-356 作者:  殷华湘;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/25 Finfet  凹槽  器件特性 Cmos  体硅  场效应器件   新结构MOSFET 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2003, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 5，527-530,533 作者:  林钢;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/25 平面双栅mosfet  Finfet  三栅mosfet  环形栅mosfet 竖直结构mosfet  集成电路